Samsung yarı iletken geliştirme çalışmalarına hız kesmeden devam ederken, yeni bir materyal keşfi gerçekleşti. Bu materyal yarı iletken pazarını hareketlendirecek.
Samsung yarı iletken materyali ile çalışmalarını hızlandırıyor
Yarı iletken sektörü, son yılların en hızlı büyüyen sektörleri arasında yer alıyor. Bununla birlikte Samsung, bu alanda yoğun bir şekilde çalışmalarına devam ediyor
SAIT (Samsung Advanced Institute of Techonology) araştırmacıları UNIST ve University of Cambridge ile ortak bir çalışma gerçekleştirdi. Nature’da yayınlanan araştırmada, amorf bor nitrür (a-BN) isimli yeni bir materyal keşfedildiği duyuruldu. Bu materyalin, yeni nesil yarı iletken geliştirme çalışmalarını hızlandıracağı duyuruldu.
Beyaz grafenden üretildiği belirtilen amorf bor nitrür yapısında düzensiz bir şekilde bor ve nitrojen yer alıyor. Samsung yeni geliştirilen amorf bor nitrürün, 400 derece sıcaklık seviyelerinde büyütülebilmesi sayesinde DRAM ve NAND çözümleri için kullanılabileceğini belirtiyor.
Elbette Samsung bu materyali kendi ürünlerinde kullanabilmek için şu anda kesin bir tarih vermiyor. Materyal için yapılacak çalışmalar sonrasında Samsng, bu materyali öncelikle kendi DRAM ve NAND’leri için test etmeye başlayacak. Daha sonrasında ise kullanım aşamasına geçilecek.
