Samsung, teknoloji dünyasında büyük yankı uyandıran bir işbirliği haberiyle gündeme geldi. Koreli teknoloji devi, adı açıklanmayan bir ABD merkezli şirketle işbirliği yaparak, 3nm süreç teknolojisi kullanarak veri merkezi yongaları üretecek. Bu işbirliği, yüksek performanslı bilgi işleme odaklı olacak ve gelişmiş paketleme teknolojilerini kullanacak.
Koreli şirket AD Technology‘nin raporuna göre, Samsung, bu işbirliği çerçevesinde 3nm süreç teknolojisi ile geçit-etrafında (GAA) transistör tasarımını bir araya getirerek 2.5D sunucu yongaları geliştirecek. Bu yongalar, özellikle veri merkezlerindeki yüksek performanslı işlemler için tasarlanacak.
Samsung gelişmiş paketleme teknolojileri konusunda uzmanlaşmış bir firma olarak biliniyor. Silikon interpozerler gibi yenilikçi teknolojileri tasarlayıp uygulamak konusunda öne çıkan firma, bu teknolojileri kullanarak bilgi işlem kalıplarını yüksek bant genişliğine (HBM) sahip belleklere bağlamak mümkün olacak. Bu da bu yongaların yapay zeka hızlandırıcıları ve yüksek bant genişliği gerektiren diğer uygulamalarda kullanılabileceği anlamına geliyor.
AD Technology’nin CEO’su Joon-gyu Park, bu projenin sektördeki en büyük yarı iletken projelerinden biri olacağını vurgulayarak, “Bu üç nano ve 2.5D tasarım deneyimi, gelecekte AD Technology’yi diğer şirketlerden ayıracak büyük bir avantaj olacak.” dedi.
Ancak bu işbirliği ile ilgili birçok ayrıntı henüz belirsizliğini koruyor. Gizemli ABD şirketinin kimliği hala açıklanmamış durumda. Ancak şirket, yüksek performanslı bilgi işlem çipleriyle ilgilenen bir ABD merkezli firma olarak tanımlanıyor.
Bu işbirliği, Samsung’un gelişmiş paketleme teknolojilerini kullanarak veri merkezi yongalarının üretim kapasitesini artırma hedefine önemli bir adım olarak kabul ediliyor. Ayrıca, büyük ABD şirketleriyle yapılan işbirlikleri, tedarik zinciri sorunlarına karşı daha dayanıklı bir yapı oluşturma amacını taşıyor. Sonuç olarak, bu işbirliği teknoloji dünyasında yakından takip edilen bir gelişme olarak ön plana çıkıyor.
