Samsung, Memcon 2024’te duyurduğu yeni 3D DRAMSamsung teknolojileriyle pazarı şaşırtmayı hedefliyor. 3D DRAM, kapasiteleri artırarak ve boyutları küçülterek elektronik cihazların performansını daha da iyileştirmeyi amaçlıyor.
Teknolojik ilerlemelerle birlikte, cihazların boyutları küçüldükçe donanım parçalarının ve fabrikasyon mimarisinin de geliştirilmesi gerekiyor. Bu noktada, DRAM pazarında sürmekte olan rekabet, hem kapasite hem de ayak izi açısından yeni teknolojilere yol açıyor. Samsung, Memcon 2024 kapsamında sunduğu 3D DRAM teknolojisi ile bu rekabete yeni bir boyut kazandırıyor.
Samsung’un sunduğu yeni 3D DRAM teknolojileri arasında, Dikey Kanal Transistörleri ve İstiflenmiş DRAM ön plana çıkıyor. Dikey Kanal Transistörleri, transistör tasarımında temel bir değişiklik yaparak alanı azaltmayı hedefliyor. Bu teknoloji sayesinde transistörlerin kapladığı alan önemli ölçüde azaltılarak daha kompakt cihazlar üretilebilir hale geliyor. Ancak, bu yeni teknik baskı aşamasında daha fazla hassasiyet gerektirebilir.
İstiflenmiş DRAM ise, geleneksel 2D DRAM’den farklı olarak tek bir çip üzerinde birden fazla dikey bellek hücresine olanak tanıyor. Bu yenilikçi yaklaşım, tek çip kapasitesini 100 GB’ın üzerine çıkarabilme potansiyeline sahip, ki bu mevcut sınırlamalara kıyasla önemli bir gelişme niteliği taşıyor.
Samsung’un bu yenilikçi adımları, hem kapasite hem de ölçeklenebilirlik alanlarında büyük bir atılımı beraberinde getiriyor. Bu gelişmelerin, 3D DRAM pazarının 2028’e kadar 100 milyar dolarlık bir büyüklüğe ulaşmasına katkı sağlaması bekleniyor. Ayrıca, Samsung’un Silikon Vadisi’nde kuracağı özel 3D DRAM araştırma laboratuvarıyla, en iyi yetenekleri çekmeyi ve araştırma-geliştirme çabalarını hızlandırmayı planladığı da belirtiliyor.
Ancak, Samsung’un bu alandaki çabalarıyla sınırlı değil. Şirket, kurumsal pazarlar için MUF Teknolojisi üzerinde de çalışmalarını sürdürüyor. Bu adımların, gelecekte daha güçlü ve kompakt elektronik cihazların geliştirilmesine önemli bir katkı sağlayabileceği öngörülüyor.
