Samsung veri depolama ürün portföyünü bir adım öteye taşıyarak 256Gb V-NAND üretmeye başladı. Samsung 256Gb V-NAND ürünü ile iş piyasasını hedef alıyor.
256Gb V-NAND tasarım süreci bitti
Samsung Electronics, beşinci nesil V-NAND bellek çipinin seri üretimine başladı. 256Gb V-NAND, Toggle DDR 4.0 arayüzünün kullanımı sayesinde 1.4Gbps’lik veri aktarım hızı sunuyor. Yeni bellek çipi, çalışma gerilimi ise 64 tabakalı selefi ile 1.8 volttan 1.2 volta düşürüldü. Okuma-sinyali yanıt süresi 50 mikrosaniye düşürülürken, 500 mikrosaniyelik yazma hızına ulaşıldı.
V-NAND, dikey olarak delinmiş mikroskobik kanal deliklerine sahip bir piramidin içinde istiflenmiş 90 tabaka 3D yük yakalama flaşı (CTF) hücresine sahiptir. Bu yüz nanometre çapında kanal delikleri, her biri 3 biti saklayabilen 85 milyar CTF hücresi içerir.
Hücre tabakasının yüksekliğinin yüzde 20 azalmasıyla da daha küçük alanda, daha düşük gerilimle çalışan ve daha az ısınan bir bellek çipi elde edildi. Samsung, 1-terabit (Tb) ve dört aşamalı hücre (QLC) seçenekleri de sunmayı hedefliyor.
Güney Koreli teknoloji devi, rakipleri SK Hynix, Toshiba ve Micron’un önünde 90 katmanlı bir V-NAND’ı piyasaya süren ilk şirket oldu. Rakipleri ise şimdiye kadar en çok 72 katman sunabilmişti. Samsung’un yeni V-NAND serisi özellikle iş piyasasına yönelik önemli kolaylıklar sunacak.