IBM ve Samsung dikey transistör tasarımı ile daha yüksek verim hedefliyor. Bu tasarımla cihazların pil kullanımı azalabilir.
IBM ve Samsung dikey transistör tasarımı geliştiriyor
IBM ve Samsung, yarı iletken endüstrisini dönüştürebileceğini ve Moore Yasasına birkaç yıl daha ömür verebileceğini düşündükleri yeni bir dikey transistör tasarımı başlattılar.
Şirketler, günümüzün çiplerinde kullanılan sonlu veya kanatlı alan etkili transistörlere (finFET) kıyasla enerji kullanımını yüzde 85 oranında azaltabileceğinden, dikey transistör tasarımını akıllı telefonlar için büyük bir avantaj olarak tanıttı.
IBM’e göre, her zamankinden daha küçük çipler transistörlerle daha yoğun bir şekilde paketlendiğinden, mühendislerin alanı tükeniyor. Bu fiziksel kısıtlama, çip yoğunluğunun her iki yılda bir ikiye katlanacağını varsayan Moore Yasası uyarınca tümleşik devre çipinin ilerleme yörüngesini engelliyor. Dikey Aktarım Alan Etkili Transistörler (VTFET) adı verilen yeni dikey tasarım, transistörleri katmanlar halinde bir levha boyunca yatay olarak değil de çipe dik olarak konumlandırır. Böylece elektrik akımları transistörler boyunca yanal olarak değil dikey olarak akar. VTFET, mühendislere belirli bir alanda FinFET’ten daha fazla transistör paketleme şansı verir. IBM, VTFET’in Moore Yasasını “gelecek yıllar” için canlı tutma potansiyeline sahip olduğunu düşünüyor.