ABD Savunma Bakanlığı’nın önemli araştırma birimlerinden biri olan DARPA, yeni nesil transistörlerin geliştirilmesi için düğmeye bastı. Bu hamle, Çin’in galyum ihracatına getirdiği kısıtlamalara karşı stratejik bir adım olarak değerlendiriliyor. Galyum nitrit (GaN), özellikle yüksek güç ve yüksek frekans gerektiren askeri uygulamalarda kullanılan yarı iletkenlerin üretiminde kritik bir rol oynuyor. Çin ise, küresel galyum arzının büyük bir kısmını kontrol ediyor ve son dönemde uyguladığı ihracat kısıtlamaları, ABD’nin savunma sanayisini tedarik zincirinde olası risklerle karşı karşıya bırakıyor.
ABD, yeni nesil transistör geliştiriyor
DARPA, bu stratejik hamle kapsamında Raytheon ile üç yıllık bir anlaşma imzaladı. Anlaşmanın amacı, galyum nitrite alternatif olarak sentetik elmas ve alüminyum nitrür tabanlı yeni nesil yarı iletkenlerin geliştirilmesini sağlamak. Bu yeni malzemelerin, radar sistemlerinden, radyo frekansı anahtarlarına, güç amplifikatörlerinden hipersonik silahlara kadar çok geniş bir yelpazede kullanılabilecek potansiyeli bulunuyor.
Sentetik elmas, geniş bant aralığı, yüksek frekans performansı, elektron hareketliliği ve ısı yönetimi konularında galyum nitritten daha üstün özellikler sunuyor. Benzer şekilde, alüminyum nitrür de daha da geniş bir bant aralığına sahip ve gelecek vadeden bir malzeme olarak öne çıkıyor. Raytheon, proje kapsamında öncelikle sentetik elmas ve alüminyum nitrür tabanlı yarı iletken filmler geliştirecek. Daha sonra bu filmler, sensör uygulamalarında kullanılmak üzere daha geniş plakalar halinde üretilecek.
Raytheon, galyum arsenit ve galyum nitrit bazlı teknolojilerin radar sistemlerine entegrasyonu konusunda önemli bir deneyime sahip. Şirket yetkilileri, bu deneyimi yeni projede de kullanacaklarını ve yarı iletken teknolojisinde yeni bir çığır açmayı hedeflediklerini belirtiyor. Ancak bu hedeflere ulaşmanın ve yeni malzemeleri seri üretime taşımanın zaman alacağı da bir gerçek.