Micron, yeni 1γ (1-gama) üretim sürecini kullanarak geliştirdiği DDR5-9200 bellek modüllerini tanıttı. Bu yeni bellekler, aşırı ultraviyole (EUV) litografi teknolojisinin DRAM üretiminde ilk kez kullanılmasıyla dikkat çekiyor. Bu teknoloji, yalnızca daha yüksek performans sağlamakla kalmıyor, aynı zamanda daha düşük güç tüketimi ve daha uygun üretim maliyetleri sunuyor. Micron’un yeni DDR5 bellek modülleri, 16Gb kapasiteye sahip ve 9200 MT/s hızında veri aktarımı yapabiliyor. Bu hız, JEDEC standartlarıyla uyumlu olarak, 1.1V voltaj seviyesinde çalışıyor.
Micron, yeni nesil DDR5-9200 belleğini duyurdu
Micron’un 1γ üretim süreci, önceki 1β sürecine göre yüzde 20 daha düşük güç tüketimi ve yüzde 30 daha yüksek bit yoğunluğu sunuyor. Bu gelişmeler, özellikle yüksek performanslı masaüstü bilgisayarlar, veri merkezleri ve dizüstü bilgisayarlar gibi alanlarda büyük bir avantaj sağlayabilir. Ayrıca, CXL tabanlı bellek modülleri ve CUDIMM’ler gibi yeni teknolojiler için de bu hız artışı kritik öneme sahip.
Şirket, bu yeni bellekleri şimdiden test amaçlı dizüstü ve sunucu üreticilerine göndermeye başladı. Üreticilerin kalite kontrol süreçlerinin önümüzdeki bir veya iki çeyrek içinde tamamlanması bekleniyor, bu da 2025 yılının ikinci yarısında ticari ürünlerde bu belleklerin yer alabileceği anlamına geliyor.
Micron’un 1γ üretim süreci, sadece DDR5 belleklerle sınırlı kalmayacak. Şirket, aynı teknolojiyi kullanarak GDDR7, LPDDR5X (9600 MT/s’ye kadar) ve veri merkezi odaklı DRAM çözümleri geliştirmeyi planlıyor. Bu üretim süreci şu an için Japonya’daki tesislerde gerçekleştiriliyor, ancak ilerleyen süreçte Tayvan’daki fabrikalarında üretim kapasitesi artırılacak.
