Teknoloji devi Samsung, petabayt kapasiteli SSD üretiminde beklenenden hızlı ilerliyor. Firma, bu hedefe ulaşmak için 1000 katmanlı NAND teknolojisi ile birlikte yeni “ferroelektrik” malzemeler kullanmayı planlıyor.
Samsung, halihazırda 9. Nesil V-NAND üretimine başlamış durumda ve bu belleklerde 290 katmana ulaşmış durumda. Gelecek yıl ise 430 katmanlı (10. Nesil V-NAND) bir NAND belleğinin üretimini gerçekleştirecek.
Ancak Samsung’un 1 petabayt hedeflerine ulaşması için sadece katman sayısını artırmak yeterli olmayacak. Firma, Quad-level cell (QLC) yongalarını ana akıma getirmeyi ve mantıksal ölçeklendirmeyi (hücre başına depolanan bit sayısının artırılması) de kullanmayı planlıyor.
Samsung, NAND hücrelerinin küçültülmesi ve NAND katmanlarının sayısının artırılmasıyla birlikte mantıksal ölçeklendirmenin de gerekli olduğunun farkında. Bu alanda ise Kioxia (eski adıyla Toshiba) öncü firmalardan biri. Kioxia, 2019 yılında beş seviyeli hücre (PLC), 2021 yılında ise altı seviyeli hücre (HLC) yapısına sahip 3D NAND bellekleri sergilemişti. Şimdilerde ise şirket sekiz seviyeli hücrelerin mümkün olduğunu söylüyor.
Daha fazla bit depolamak için voltaj seviyelerinin de yükselmesi gerekiyor. Bu nedenle Samsung, ferroelektrik özellik gösteren Hafnia adlı bir malzeme üzerinde çalışmalar yürütüyor. Bu malzemenin kullanımıyla düşük voltaj seviyelerinde kalınabilecek ve daha verimli kapasitörler ve bellekler geliştirilebilecek.
Samsung’un petabayt SSD’leri, veri merkezleri, yapay zeka ve yüksek performanslı bilişim gibi alanlarda devrim yaratabilir. Bu yeni SSD’lerin pazara ne zaman sunulacağı ise henüz bilinmiyor.
![Pinterest](https://pinterest.com/pin/create/button/?url=https://www.techinside.com/samsung-petabayt-ssdye-dogru-adimlarla-ilerliyor/&media=https://www.techinside.com/wp-content/uploads/2024/05/ssd-nedir-ve-nasil-calisir-en-hizli-ssd-modelleri-12.webp&description=Samsung, 1000 katmanlı NAND ve yeni "ferroelektrik" malzemelerle petabayt kapasiteli SSD üretmeye hazırlanıyor.){kind=link}