Samsung, yapay zeka (AI) için geliştirdiği en yüksek kapasiteli bellek çipi olan HBM3E 12H’yi tanıttı. Yarı iletken bellek yongalarında lider konumda bulunan şirket, sektörde bir ilk olan 12 yığınlı HBM3E DRAM yongasını geliştirdiğini duyurdu. Bu yeni bellek, bugüne kadar görülen en yüksek kapasiteli High Bandwidth Memory (HBM) çözümü olarak öne çıkıyor.
Samsung’un HBM3E 12H modelinde her bir DRAM modülü 24 gigabit (Gb) kapasiteye sahip, yani 3 gigabyte’a (GB) eşdeğer ve toplamda 12 adet bulunuyor. Bu da toplam kapasitenin 36 GB’a ulaştığı anlamına geliyor. Şirket, HBM3E 12H’nin bant genişliğini ve kapasitesini HBM3’e kıyasla %50 oranında artırdığını belirtiyor.
Samsung’un bu yeni belleği, paket gereksinimlerini karşılamak amacıyla TC NCF (thermal compression non-conductive film) tekniği ile geliştirildi. Bu teknoloji, 12 yığınlı HBM3E’nin 8 yığınlı olanlarla aynı yüksekliğe sahip olmasını sağlayarak, yoğunluğun %20’den fazla artmasına katkıda bulunuyor.
Performans açısından, Samsung HBM3E 12H için yapay zeka eğitiminin ortalama hızının %34 arttığını ve çıkarım hizmetlerinin eşzamanlı kullanıcı sayısının HBM3 8H’ye kıyasla 11,5 kat arttığını belirtiyor. Şirket, HBM3E 12H örneklerini müşterilere sunmaya başladı ve bu belleklerin seri üretime 2024’ün ikinci yarısında geçmesini hedefliyor.
Bu gelişme ile Samsung, SK Hynix ve Micron gibi rakiplerine karşı pozisyonunu güçlendirmiş oldu. HBM3E 12H bellekler, özellikle yapay zeka GPU’larında kullanılacak ve sektördeki rekabeti daha da kızıştıracak gibi görünüyor.
